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IGBT逆變模塊廠家的設備的核心部分逆變器由大功率IGBT半橋組成。由鎖相環(huán)控制工作頻率，自動跟蹤爐體固有頻率及其它參數(shù)的變化，保持IGBT工作在零電壓開關狀態(tài)，損耗小，安全區(qū)大。由PWM電路控制輸出功率，由功率檢測電路組成閉環(huán)控制，本設備輸出電容與爐體構成串聯(lián)形式，而不象一般晶閘管逆變采用并聯(lián)方式。這是由于：串聯(lián)結構更適應IGBT的電壓型逆變；爐體引線長短只改變工作頻率而較少影響效率；更適合電容器的內置。當然，串聯(lián)結構在空爐時由于Q值很高會產生很高的電壓，IGBT逆變模塊廠...

整流二極管模塊一種用于將交流電轉變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。二極管zui重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。其結構如圖所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，整流二極管模塊具有低的電壓降,稱為正向導通狀態(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流，稱為反...

北京晶閘管供應是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，北京晶閘管供應是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。北京晶閘管供應被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、...

北京晶閘管供應是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上*款晶閘管產品，并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極:陽極，陰極和門極;北京晶閘管供應具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。北京晶閘管供應按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管...

日立電容廠家供應的電容，電容器的簡稱，是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直、耦合、旁路、濾波、調諧回路、能量轉換、控制電路等方面。電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為C，單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。因電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，所以廣泛應用于隔直、耦合、旁路、濾波、調諧回路、...

西門子快速熔斷器為變頻器及軟起動器中的電源類半導體器件提供了*保護?？紤]到半導體組件電容的低熱效能，它們能夠迅速分斷，沒有其它的保護設備能夠如此可靠地分斷短路電流。西門子快速熔斷器對熔體電流密度和溫度的限制，比那些用于保護電纜和導體的傳統(tǒng)的低壓熔斷器的限制要高很多。這就是說熔斷器一直處于預備狀態(tài)。這就保證了當出現(xiàn)故障時熔斷器可以做出*反應。由于其特殊構造的限制，3NE半導體保護型熔斷器還可以用于循環(huán)電路，而不必降低額定電流。由于它們的高循環(huán)電路容量和額定負載，而提供了zui低...

西門康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。西門康IGBT模塊的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反...

諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進行了探討。各種工業(yè)應用中通常會使用多達十幾種的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），設計IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應用提供*的性價比和適當?shù)目煽啃?。圖1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分。商用電動車（EV）和混合動力電動車...

斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導體器件，它是由MOSFET（場效應晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結合，并由前者擔任驅動，因此具有：驅動功率小，通態(tài)壓降低，開關速度快等優(yōu)點，目前已廣泛應用于變頻調速、開關電源等電力電...

高壓可控硅軟起動器是一種集軟起動和多種保護功能于一體的新型高壓電機軟起動裝置。它不僅僅能在整個的起動過程中平滑地起動電機，而且可以根據(jù)電動機的負載的特性來調節(jié)起動過程中的參數(shù)，并且它的結構簡單、價格低廉、工作可靠，因此在各個生產領域中得到了越來越廣泛的應用。在高壓可控硅軟起動裝置中，如果選取額定電流太大的高壓可控硅，則沒有充分利用高壓可控硅的性能，并且裝置成本太高；如果選取額定電流太小的高壓可控硅，則裝置運行不可靠，嚴重時會燒毀高壓可控硅。因此，高壓可控硅額定電流的選擇非常關...

可控硅勵磁裝置失控的原因是非常多的，經常進行維護是減少問題出現(xiàn)的方法，平時的時候一定要對電站進行定期的檢查，同時為了避免設備失控采取有效地方法，下面就為大家詳細的介紹一下預防可控硅元件失控的方法是什么？主要有下面五個方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常，要是直流輸出波形三相不對稱的話，可調整觸發(fā)器脈沖相位來實現(xiàn)。②要是更換續(xù)流管的話，續(xù)流管的管壓降越好越好，是不超過0.5V。③觸發(fā)極的引線要經常的保持完好，避免截斷導致丟脈沖。④定期的使用示波器查看可控橋的直流輸出...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點。因此，IGBT的新技術、新工藝不斷有新的突破；應用頻率硬開關5KHz～40KHz，軟開關40KHz～150KHz；功率從五千瓦到幾百千瓦的應用場合。IGBT器件將不斷開拓新的...

西門子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊，其zui大功率為30kW;E尺寸模塊具有重過載和輕過載的雙重模式，可以實現(xiàn)小功率變頻器驅動動大電機，有效降低采購成本；E尺寸模塊適用于風機、水泵、壓縮機、輸送設備、攪拌機、石材切割等大功率的應用場合。今天，西門子在“2014中國工業(yè)博覽會”現(xiàn)場發(fā)布了SinamicsV20變頻器全新E尺寸模塊。該模塊的zui大功率可達30kW，適用于風機、水泵、壓縮機、輸送設備、攪拌機、石材切割等大功率應用場合，并具有重過載和輕過載的雙重模...

IGBT的應用及設計作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業(yè)應用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。IGBT產品市場現(xiàn)狀分析國內市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。雖然長期來看，IGBT是一個值得期待的市場，可是到目前為止IGBT的核心技術和產業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導體廠商所掌控...

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合電力電子器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，目前IGBT主要應用在電機、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、EPS電源、風力發(fā)電設備等工業(yè)控制領域。在上述應用領域中IGBT憑借著電壓控制、驅動簡單，開關頻率高、開關損耗小，可實現(xiàn)短路保護等優(yōu)點在600V及以上中壓應用領域中競爭力逐步顯現(xiàn)，在UPS、開關電源、電車、交流電機...

摘要：近幾年來，主要用于電能控制與變換的電力電子學迅速地擴展了它的應用領域。市場對于的電能變換系統(tǒng)的要求主要集中在：尺寸小、重量輕以及效率高。因此，就要求功率半導體技術要在獲得更高性能、更先進功能以及更大功率處理能力等方面有所進步。系統(tǒng)縮小尺寸的解決方案之一是使用igbt-pim(功率集成模塊)，將倒相電路、動態(tài)保護電路以及整流二極管都集成在同一個模塊中。近幾年來，zui大額定電流低于100a的pim，由于尺寸小、易裝配、更經濟等優(yōu)點，其市場需求不斷增長。下一代igbt模塊應...

2013年過去了2014年來了！在這全國歡騰的時刻，我公司銷售的各類功率半導體模塊全部優(yōu)惠折扣銷售，歡迎行老客戶前來選購！我公司現(xiàn)有現(xiàn)貨的型號如下英飛凌IGBT系列FF450R12KT4FF450R12KE3FF450R12ME4FF450R12ME4FF450R12ME3FF450R06ME4FF400R12KE3FF400R12KE4FF400R06KE3FF400R17KE3FF400R33KF2CFF300R12KE4FF300R12KE3FF300R12KT4FF3...

型號（1U1200V）技術指標型號（1U1700V）技術指標BSM200GA120DN2200A/1200V/1UBSM200GA170DN2200A/1700V/1UBSM300GA120DN2300A/1200V/1UBSM300GA170DN2300A/1700V/1UBSM400GA120DN2400A/1200V/1UBSM400GA170DLC400A/1700V/1UBSM200GA120DLC200A/1200V/1UBSM200GA170DLC200A/17...